化學性質
中文名稱:磷化銦
中文同義詞:磷化銦晶體INP;磷化銦(III);磷化銦,99.9999%(METALSBASIS);磷化銦,多晶塊,99.99%(METALSBASIS);磷化銦,99.999%(METALSBASIS);磷化銦,多晶塊;磷化銦(III),99.9999%(METALSBASIS);磷化銦粉
英文名稱:INDIUMPHOSPHIDE
英文同義詞:InP;metelbasisINDIUMPHOSPHIDE;INDIUM(III)PHOSPHIDE;Phosphinetriylindium(III);Phosphinidyneindium(III);Indiumphosphide/99.999%;Indiumphosphide(99.999%-In)PURATREM;Indiumphosphidewafer
CAS號:22398-80-7
分子式:InP
分子量:145.79
EINECS號:244-959-5
磷化銦性質
熔點1070°C
密度4,787g/cm3
形態(tài)pieces
顏色Black
水溶解性Insolubleinwater.
晶體結構Cubic,SphaleriteStructure-SpaceGroupF(-4)3m
Merck14,4953
化學性質
磷化銦具有瀝青光澤的深灰色晶體。熔點1070℃。熔點下離解壓為2.75 Mpa。極微溶于無機酸。介電常數(shù)：10.8。電子遷移率：約4600 cm2/V?s?？昭ㄟw移率：約150 cm2/V?s。具有半導體的特性。
磷化銦是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料之一，是繼硅（Si）、砷化鎵（GaAs）之后的新一代微電子、光電子功能材料，其因電子遷移率高、禁帶寬度大等特點，被廣泛應用于微波及光電器件領域。
類別
有毒物品
可燃性危險特性
高熱產生有毒磷氧化物煙霧
儲運特性
庫房通風低溫干燥
滅火劑
干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 霧狀水
職業(yè)標準
TWA 0.1 毫克 (銦)/立方米
安全信息
危險品標志 T
安全說明 24/25-45-53
危險品運輸編號 3288
WGK Germany 3
RTECS號NL1800000
TSCA Yes
合成方法
用高壓單晶爐制備磷化銦單晶是最主要的方法，并用摻等電子雜質的方法降低晶體的位錯密度。而氣相外延，多采用In-PCl3-H2系統(tǒng)的歧化法，在該工藝中用銦(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之間的反應來生長磷化銦層。氣相外延將石英反應管放在雙溫區(qū)電爐中，已凈化的高純氫氣經計量通入，氫氣也用來稀釋三氯化磷，此時彭泡器保持在0℃，通過反應管內的氫氣線速度為14cm/min。外延生長分為誘個階段進行。在第一階段，將盛有銦的石英舟放在電爐中源區(qū)，通入氫氣并加熱到700～850℃，再用氫氣將三氯化磷引入，在銦源上方被還原成磷蒸氣和氯化氫。鎘化氫與銦反應生成一氯化銦蒸氣在管中遷移。磷溶解在銦中直至飽和為止。在第二階段，銦源保持在原位置不加熱，單晶襯底放在電爐的第二加溫區(qū)后，在氫氣氛下加熱到600～750℃。首先用氫氣將三氯化磷引入到管內對襯底進行氣相腐蝕，清洗襯底表面。再將氫氣直接引入反應管，并把源加熱到它的過飽和溫度(在操作中此溫度比襯底晶體的溫度高100℃)。然后通過氫氣鼓泡將三氯化磷引入，這時磷蒸氣與在源區(qū)生成的一氯化銦反應，在襯底上淀積生長出磷化銦層。當外延生長完成后，向系統(tǒng)中通入純氫氣，將兩個溫區(qū)冷卻到室溫，取出產物，制得磷化銦成品。
上下游產品信息
表征圖譜
相關文獻
用途
用作半導體材料，用于光纖通訊技術，需要1.1～1.6μm范圍內的光源和接受器。在 InP襯底上生長In-GaAsP雙異質結激光器既能滿足晶格匹配，又能滿足波長范圍的要求。
